Нитевидные нанокристаллы полупроводниковых соединений III-V для фотоники...

Нитевидные нанокристаллы полупроводниковых соединений III-V для фотоники, совмещенной с кремниевой электронной платформой Владимир Германович Дубровский, д.ф.-м.н., профессор. Лаборатория физики полупроводниковых наноструктур, СПбГУ В настоящем докладе дан обзор современного состояния исследований и последних результатов в области синтеза, моделирования, диагностики и приборной функционализации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V (III-V ННК) и гетероструктур на их основе для фотоники, совмещенной с кремниевой электронной платформой. В частности, изложены результаты, полученные в недавно созданной на кафедре физики твердого тела физического факультета СПбГУ лаборатории физики полупроводниковых наноструктур: когерентный эпитаксиальный рост III-V ННК в регулярных массивах на поверхностях кремния, активированный каплями галлия, суб-Пуассоновское сужение функций распределения по длине и диаметру GaAs ННК, синтез опртоэлектронных гетероструктур различного типа в III-V ННК,